IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的首字母縮寫。它被歸類為晶體管領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件。IGBT能夠?yàn)閺V泛的高電壓和高電流應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高的效率和節(jié)能。

一、功率半導(dǎo)體器件特性與IGBT的比較：

在功率半導(dǎo)體器件（晶體管領(lǐng)域）中，除IGBT外，還有主要用作半導(dǎo)體開關(guān)的MOSFET和雙極型。在開關(guān)速度方面，雙極性類型適用于中速，而MOSFET支持高頻范圍。IGBT是一種雙極器件，利用了電子和空穴兩種類型的載流子，這是由于輸入塊和雙極性輸出具有MOSFET結(jié)構(gòu)的復(fù)雜配置，使其成為可以實(shí)現(xiàn)低飽和電壓（類似于低導(dǎo)通電阻MOSFET）的晶體管，具有相對快速的開關(guān)特性。然而，盡管它具有相對快速的開關(guān)特性，但它們?nèi)匀徊蝗绻β蔒OSFET，使其成為IGBT的缺點(diǎn)。

二、IGBT應(yīng)用范圍：

1．功率半導(dǎo)體適用范圍：

功率半導(dǎo)體包括組合由元件單元及其基本部件組成的分立元件的模塊。

這同樣適用于IGBT（絕緣柵雙極晶體管），它由器件和模塊組成，每個器件和模塊都有最佳范圍。

下圖顯示了功率半導(dǎo)體（主要是IGBT）在開關(guān)（工作）頻率和輸出容量方面的應(yīng)用范圍。

2．IGBT應(yīng)用范圍：

IGBT是一種功率半導(dǎo)體，用于從汽車和工業(yè)設(shè)備到消費(fèi)類設(shè)備的各種應(yīng)用。HEV/EV中的高輸出三相電機(jī)控制逆變器、IH等家用電器的諧振電路以及UPS和工業(yè)電源中的升壓控制也越來越多地采用。